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清华紫光在闪存输出方面取得突破

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分析人士周二表示,中国芯片巨头清华紫光集团(Tsinghua Unigroup)表示,已启动高端64层闪存芯片的批量生产,标志着中国在发展本土半导体行业、缩小与外国同行技术差距方面取得突破。

清华紫光控股的芯片制造商扬子存储技术有限公司(Yangtze Memory Technologies Co Ltd)表示,该公司已开始批量生产64层3D NAND芯片,这是一种高端非易失性存储芯片,可以在不用电的情况下存储数据。

存储芯片广泛应用于智能手机、个人电脑和数据服务器等电子设备的高端数据存储产品中。尽管中国是全球最大的电子设备制造大国之一,但它主要依赖外国公司来获得高端闪存芯片。

YMTC表示,其64层3D NAND技术基于公司内部开发的芯片架构Xtacking。该公司补充说,这是中国首款64层3D NAND产品,可以帮助减少中国对外国产品的依赖。

该公司没有提供具体的生产数据。但《电子时报》援引知情人士的话称,该公司位于湖北省省会武汉的工厂预计每月生产10万片晶圆。《电子时报》是半导体和电子行业的日报。

据《电子时报》报道,随着该工艺产量的提高,预计到2020年,YMTC的月产量将增加到10万至15万片。

YMTC联合首席技术官程卫华在一份声明中表示,Xtacking芯片架构为3D闪存芯片带来了高性能,包括更高的存储密度和更短的产品制造周期。

“随着5G、人工智能和超大数据中心时代的到来,闪存产品的需求将继续增长。64层3D NAND闪存产品的量产将为全球内存市场的健康发展注入新的动力。”

2018年,中国进口芯片支出超过3,120亿美元,其中880亿美元用于进口闪存产品。海关总署的数据显示,在闪存产品上的支出占总支出的四分之一,超过了在中央处理器和智能手机调制解调器芯片上的支出。

中国移动联盟秘书长王艳辉表示,64层NAND闪存产品的量产填补了国内在该领域的空白,缩短了与国际领先制造商的差距,为国内闪存产品未来的研发奠定了坚实的基础。

根据新时代证券的一份研究报告,韩国科技巨头三星电子(005930 . ks:行情)约占全球NAND闪存芯片市场的37%,日本东芝(6203 . t:行情)占21%。

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